基于硅石的专有FBP光纤优化用于NIR衰减和抗紫外线曝晒，提升较宽光谱范围的传输性能

 全球领先的全套互连产品供应商Molex公司宣布，其子公司Polymicro Technologies成功地开发了一款使用低氢氧化物纯硅石内芯的宽光谱光纤，该光纤具有显著减少的紫外线(UV)缺陷和其它UV吸收中心点含量。Polymicro的专有FBPI光纤利用了标准光纤的优势并减少其限制。基于硅石的宽带FBPI光纤在大大增宽的光谱范围具有改进的传输特性，提供一系列密度选择，能够制造50-600 μm内芯直径光纤。

Polymicro Technologies业务发展经理Robert Dauphinais表示：“我们新的宽光谱FBPI光纤经优化用于全景摄谱仪和传感器分析，创造了业界第一。FBFI光纤提供了出色的性能，并结合了耐辐射和耐曝晒性能，防止辐射和曝晒导致光纤性能退化并缩短产品寿命。”

在超过2100 nm的近红外(NIR)波长区域，Polymicro FBPI光纤的衰减等同于具有低氢氧化物硅石内芯和加氟覆层的标准NIR光纤，其抗曝晒性能可与具有高耐辐射性的标准UV优化高氢氧化物光纤相媲美，并且具有低至200 nm的UV传输性能。

许多光谱应用需要在宽光谱范围传输光线，并且具有最小焦比衰退的高性能光纤。与受限于传输光谱范围的标准光纤不同，Polymicro FBPI光纤可以在较宽的波长范围进行传输，在整个波长范围具有相对的一致性。

Dauphinais补充道：“与现今市场上的任何其它光纤相比，FBPI光纤可以在较宽的波长范围应对UV曝晒和NIR衰减，这在扩大光谱测量范围和提高器件灵敏度方面具有显著的优势。”

FBPI宽带光纤设计用于一系列高性能光谱应用，包括光纤测试、环境监控、气相测量、精密外科和工业激光应用及高性能气体或液体色谱法。