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Molex推出下一代高性能超低功率存储器技术

Molex推出下一代高性能超低功率存储器技术

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  • 发布时间:2018-10-17 09:21
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【概要描述】DDR3DIMM存储器模块插座满足不断增长的严苛高密度应用需求全球领先的全套互连产品供应商Molex公司宣布推出空气动力型DDR3DIMM插座和超低侧高DDR3DIMM存储器模块插座产品组合,两个产品系列均适用于电信、网络和存储系统、先进计算平台、工业控制和医疗设备中要求严苛的存储器应用。DDR3是为支持800-1600Mbps的数据速率(频率400-800MHz)而制定的DDRDRAM接口技术,

Molex推出下一代高性能超低功率存储器技术

【概要描述】DDR3DIMM存储器模块插座满足不断增长的严苛高密度应用需求全球领先的全套互连产品供应商Molex公司宣布推出空气动力型DDR3DIMM插座和超低侧高DDR3DIMM存储器模块插座产品组合,两个产品系列均适用于电信、网络和存储系统、先进计算平台、工业控制和医疗设备中要求严苛的存储器应用。DDR3是为支持800-1600Mbps的数据速率(频率400-800MHz)而制定的DDRDRAM接口技术,

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DDR3 DIMM存储器模块插座满足不断增长的严苛高密度应用需求

全球领先的全套互连产品供应商Molex公司宣布推出空气动力型DDR3 DIMM插座超低侧高DDR3 DIMM 存储器模块插座产品组合,两个产品系列均适用于电信、网络和存储系统、先进计算平台、工业控制和医疗设备中要求严苛的存储器应用。

DDR3是为支持800 -1600 Mbps的数据速率(频率400 - 800 MHz)而制定的DDR DRAM接口技术,该数据速率是DDR2接口的两倍。采用标准1.5V工作电压,DDR3对比DDR2减少了30%的功耗。Molex的DDR3 DIMM插座的底座面比标准设计更低,在ATCA刀片系统中可以使用最大底座高度低于2.80 mm的极低侧高模块,新型DDR3 DIMM插座还具有10 mΩ的低电平接触电阻,以便使用注册DIMM模块并且在刀片式服务器中降低功耗。

Molex产品经理Douglas Jones表示:“随着对更高带宽的需求继续增长,能够以较快速率传输数据而不牺牲宝贵的空间或功率是至关重要的。使用DDR3 DIMM插座,让我们的客户不仅能够充分利用最高性能的存储器互连的优势,而且又能维持或减小现有封装尺寸并降低功耗。”

Molex 空气动力型DDR3 DIMM插座具有流线型外壳和闭锁设计,以实现气流最大化,并消除运作期间聚集的热空气。人类环境学闭锁设计能够实现快速动作,并且轻易移开高密度存储器模块。2.40 mm的低底座面优化了垂直空间,能更灵活地设计插座模块的高度。空气动力型DDR3 DIMM插座用于极低侧高压接(14.26 mm)、低侧高压接(22.03 mm)、低侧高SMT (21.34 mm)和极低侧高SMT (14.20 mm)高度,与标准压接终端相比,这些压接插座的针孔型顺应引脚更小,有效节省了宝贵的PCB空间,以适用于较高密度的电子线路设计。Molex所有空气动力型DDR3 DIMM插座均符合RoHS标准,SMT型款不含有卤素。

Molex超低侧高DDR3 DIMM插座的底座面高仅1.10mm,为业内最低。该插座在PCB上提供最高20.23 mm垂直空间,用于安装高密度DIMM,适用于要求符合ATCA电路板机械规范的应用,这项规范要求前PCB板一侧的元件高度不能超过21.33 mm。超低侧高DDR3 DIMM插座的闭锁动作的角度较小,所需的PCB空间也比标准DIMM更少,既改善了气流,又实现了更贴近的元件安装。新型无卤素插座具有玻璃填充的高温尼龙外壳和闭锁装置,可以使用波峰焊和高温红外回流焊运作。

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