专有的silica-based 200 µm硬聚合物覆层光纤具有远远高于行业标准 150 kpsi的抗张强度 ，并且在650 nm下典型衰减≤10 dB/km，在850 nm下 ≤6 dB/km

全球领先的全套互连产品供应商Molex公司子公司Polymicro Technologies成功地开发了一款包含low -OH 合成熔融石英(synthetic fused silica)内芯的光纤产品，PolyClad™硬聚合物覆层和ETFE 缓冲器/护套jacket。其特性是具有高抗张强度和最小弯曲半径，实现了高可靠性。Polymicro 200/230 PolyClad光纤适合工厂自动化和过程控制应用中的短至中等距离数据通信，能够耐受严苛温度、化学品和辐射环境。

Molex业务发展经理Imke Kuester称：“我们全新的宽光谱200 µm硬聚合物覆层光纤经过优化，在650和850 nm下的典型衰减分别低于10和6 dB/km，具有远远超过行业标准150 kpsi的抗张强度，以及最小弯曲半径，实现了高可靠性。Polymicro的200/230 PolyClad光纤具有出色的性能，并且结合了耐受可能导致退化和缩短产品寿命的严苛温度、化学品和辐射的特性。”

200/230 PolyClad光纤兼容压接和切割，并且符合 Euro RoHS标准，具有大型200 µm内芯和大数值孔径，实现简便的端接和高光源耦合效率。由于具有高覆层/内径比例，连接器偏移最大限度减小至≤5 µm。由于抗张强度≥150 kpsi、最小弯曲半径≥10 mm (短期)和≥16 mm (长期)，并且在850nm下典型衰减≤6 dB/km，在650nm下≤10 dB/km，即使在严苛的环境条件下，Polymicro光纤也是非常可靠的。